Nova tecnologia aumenta resistência de eletrônicos no espaço - Fiep - Boletins Setoriais - Metalmecânico e eletroeletrônico

(Foto: Adobe Stock)

Os eletrônicos que temos aqui, não são os mesmos que eles têm lá no espaço. Como você já deve saber, as missões espaciais exigem equipamentos eletrônicos que resistiriam à radiação e aos rigores do espaço. Além de serem projetados para as funções que vão exercer, esses dispositivos precisam receber blindagem para não sucumbirem à radiação.

O desenvolvimento desses eletrônicos tem custo de produção elevado e criação mais lenta. Isso resulta no surgimento de tecnologias que não são necessariamente de ponta. No entanto, um time de cientistas da NASA vem buscando uma alternativa. A equipe está realizando uma série de testes com transistores a vácuo em nanoescala – que podem ajudar no surgimento de dispositivos eletrônicos capazes de sobreviver às duras condições do espaço, tecnologicamente avançados, eficazes e estáveis para a participação em missões espaciais.

Transistores a vácuo

A indústria de eletrônicos chegou a trabalhar com tubos a vácuo no desenvolvimento de dispositivos, porém essa tecnologia acabou sendo substituída pelos transistores semicondutores. Mas a tecnologia de tubos ainda é bem vista, pensando no ambiente espacial. Os tubos apresentam várias vantagens sobre os transistores, como ter maior estabilidade em ambientes extremos, o que permite que o eletrônico opere de forma mais rápida e tenha uma melhor proteção a ruídos.

Tendo isso em mente, a equipe da NASA empregou um processo semelhante ao utilizado para a montagem dos chamados MOSFETs, os transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico. No entanto, o projeto tem uma diferença: em vez de usar um canal semicondutor entre o coletor e o emissor, como ocorre nos MOSFETs, os cientistas utilizaram um canal vazio.

Além disso, em vez de posicionar os transistores na horizontal, como aconteceu em testes anteriores, os pesquisadores usaram os nanotransistores a vácuo com porta cercada por silício na vertical. Como consequência, conseguiram que os elétrons se movimentassem de forma mais rápida do que em semicondutores, já que, como o canal estava vazio, a dispersão que normalmente ocorre na rede do semicondutor foi eliminada.

O resultado final encontrado foi aumento na velocidade de operação e frequência dos aparelhos. E esse avanço é significativo, visto que a produção desse tipo de nanotransistor poderia se popularizar e dar origem a alternativas viáveis para o desenvolvimento de componentes mais eficientes para dispositivos eletrônicos.

Com informações do TecMundo.